
微型VOID标签是针对芯片级产品特性开发的专属防伪载体,融合了VOID毁痕防伪技术与微纳加工工艺,适配小型化、高集成度的芯片类产品防伪需求,核心解决了芯片易伪造、防伪载体不兼容的行业痛点。当前芯片伪造、替换等造假行为频发,传统防伪手段(如外盒标签、二维码)多依附于芯片外围包装,存在易复制、易转移的缺陷,无法实现芯片本体的防伪验证,微型VOID标签的出现填补了这一空白。
微型VOID标签的批量生产核心在于高精度微加工工艺的成熟度,区别于普通防伪标签的粗模切,其全流程生产需依托精密辊式模切、激光微雕或纳米压印技术,实现从基材处理、胶层涂布到防伪层成型的一致性控制。基材通常选用聚酰亚胺等耐高温、低收缩率的特种材料,可适配芯片封装的热压、回流焊等严苛制程;胶层则根据芯片表面材质(如环氧塑封、硅晶圆、陶瓷)定制,通过自动配胶系统保障附着力的均一性,避免因胶层不均导致的VOID图案残缺。为满足芯片的小型化需求,标签尺寸可缩小至1mm×1mm以内,厚度控制在50μm以内,生产良率需稳定在99%以上才能支撑大规模应用,目前量产阶段已实现单批次标签的稳定产出,单枚生产成本较早年下降超60%,具备商业化普及的基础。
芯片级产品的防伪适配对微型VOID标签提出了三类核心要求:其一为空间适配,芯片封装的预留标识区域多小于2mm²,微型标签需精确匹配该尺寸,边缘无毛刺、无残胶,不影响芯片的安装与功能测试;其二为性能适配,芯片在生命周期内可能面临-55℃至150℃的温度波动、酸碱化学腐蚀等场景,标签需具备相应的耐候性,且撕毁后VOID字样完整无缺失,不会因芯片表面钝化层、镀镍层等特殊材质导致防伪失效;其三为标识联动,微型VOID标签可内置不可克隆的防伪编码,与芯片出厂的晶圆ID、封装ID形成绑定关联,通过专用读码设备读取编码信息与芯片ID进行交叉验证,实现从芯片生产到终端应用的全链路防伪,避免高端芯片替换等隐蔽造假行为。
作为芯片级防伪的重要技术路径,微型VOID标签通过批量工艺优化降低了应用门槛,适配芯片产品的特殊属性,为消费电子、汽车电子、工业控制等领域的高端芯片提供了高性价比的防伪方案。其毁痕不可逆的特性相比二维码、NFC等可复制的防伪方式,具备更强的防伪造能力,尤其适合对核心芯片安全要求较高的领域,为芯片产业的规范发展提供了可靠的技术支撑。(全文约1010字)


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